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东芝发布全新24nm嵌入式NAND闪存 - 东芝存储设备 - 工业新闻

时间:2019-03-13 15:14:53 来源:杏耀娱乐 作者:匿名



东芝发布新的24nm嵌入式NAND闪存

2011/4/6 11: 31: 42

资料来源:东芝集团

东芝发布了基于24nm工艺的“SmartNAND”系列。通过该产品,东芝将进一步扩展其NAND闪存产品线。 “SmartNAND”在NAND封装中集成了错误管理系统。新芯片简化了系统端设计,使高级工艺NAND可用于消费类电子产品,包括数字音频播放器,平板电脑,信息设备,数字电视,机顶盒以及其他需要大容量非易失性存储器的应用。 。

新SmartNAND产品系列的样品将于4月中旬上市,并将于2011年第二季度(4月至6月)开始量产。

SmartNAND产品系列集成了尖端的24-nm工艺NAND闪存和支持纠错码(ECC)的控制芯片。最新产品系列包括5个容量为4到64千兆字节(GB)的容量,专门用于最大限度地减少协议更改,同时减少处理ECC时系统方面的负担。 SmartNAND产品系列面向便携式媒体播放器,平板电脑和其他消费类数字产品。

新的2nm产品线将取代目前的32nm产品,其先进的技术结合了更快的处理控制器和内部接口,可实现更快的读写速度和更高的整体性能。 SmartNAND还支持一系列读写速度,以适应不同的设计目标。新产品将提供四种读取模式和两种写入模式。

新产品继续使用传统的NAND接口,并包含一系列针对大批量和高性能应用而优化的新功能。管理位错误对于维持数字产品的可接受性能和可靠性至关重要。将错误管理系统与NAND闪存集成在同一个封装中,使东芝客户能够利用具有出色错误管理性能的高容量,先进闪存解决方案。对支持高分辨率视频和增强存储的高容量存储器芯片的需求不断增长,尤其是包含控制器功能的嵌入式存储器。带控制器功能的嵌入式存储器可最大限度地减少开发需求并减少与系统设东芝已成为这一关键领域的领导者。东芝现在将通过进一步升级SmartNAND来巩固其领先地位。

主要特征

1.集成纠错(ECC)和前沿24nm工艺可以提高速度性能,使读取速度和写入速度比现有产品快1.9倍和1.5倍。

2.东芝的SmartNAND提供一系列读写速度,以优化速度性能;有四种读取速度和两种写入速度。为满足低功耗要求,我们还提供省电模式。

3.东芝的SmartNAND使用标准的NAND接口,可以应用于现有的主机控制器,必要时可以提供简单的驱动软件支持。所有这些都简化了系统开发,确保制造商节省开发成本并缩短新产品和升级产品的上市时间。

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